碳化硅

本文**于“第三代半导体风向”公众号

2023款捷安特propel（2023款捷安特propel配置）

山东天岳业绩快报：

2021年净利润同比增加7.3亿元

2月25日，山东天岳发布2021年度业绩快报公告。2021年，公司实现营业总收入49,385.68万元，较上年同期增长16.25%；实现归属于母公司所有者的净利润8,995.15万元，较上年同期增加73,156.47万元，实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润1,297.39万元，较上年同期减少42.82%。

泰科天润：

2022年SiC晶圆产能超1万片

2月22日，《浏阳日报》走访了湖南泰科天润公司。

据泰科天润相关负责人陈芝介绍，公司2022年计划生产制造超过10000片6英寸碳化硅晶圆，当前已接受订单总额数千万元。

据悉，泰科天润于2019年选址浏阳经开区成立浏阳泰科公司，2021年1月正式投产。“去年是投产**年，生产规模还有限，但市场前景很好，今年将扩大生产。”陈芝介绍说，今年春节刚过，公司就**复工复产，目前生产经营已进入良性循环。

3亿元！

江苏常州新增汽车碳化硅项目

2月22日，江苏常州532”发展战略**产业项目集中签约，在12个**产业项目中，既有新材料项目、高端装备制造项目，也有围绕产业链引入的研发检测等生产**业项目，涉及新能源汽车、新材料、新智能等相关领域。

其中新能源测控装备项目获投资3亿元用于租用园区标准厂房；主要从事电芯、碳化硅系列模组等多种测试所需装备的研发、生产和销售。

积塔：

6吋碳化硅代工线顺利开展

最近，华大半导体官网发布消息称，1月，华大半导体公司营收较去年同期大幅增长，为完成全年经营工作目标打下坚实基础。

其中提到，积塔半导体拥有****的碳化硅6吋代工生产线，直至2月21日，各项目已顺利开展，稳步按计划推进碳化硅MOSFET的投片、生产及产出。

光宝与新加坡大学合作开发碳化硅项目

2月21日，台湾LITE-ONSingapore（光宝）将与新加坡南洋理工大学（NTU）合作开发更节能的智能电网和智能家居技术。合作的**包括新的智能电源路由器、智能家居能源管理平台和大数据聚合平台。

其中，将开发的主要项目之一是利用碳化硅技术的智能电网高频双向逆变器和转换器，这将使这些设备能够承受更高的温度并提供更高的能源效率和功率密度。

据悉，双方签订了一份为期四年的协议，该协议是光宝投资新兴技术战略的一部分，并将和南大一起解决在数字和城市方案方面的专业难题。

NTUSingapore和LITEON合作开发用于家庭和电网的创新技术

国宏中宇：

加快洛阳碳化硅项目落地

据河南省洛阳市当地媒体2月24日报道，市长徐衣显带队考察从事碳化硅产业的国宏中宇科技发展有限公司，并举行会谈。

会谈中，双方就公司总部实质性迁址、新建第三代半导体碳化硅产业研究院等事宜深入交流。双方表示，要深化务实合作，促进国宏中宇洛阳项目尽快落地，推动以碳化硅为代表的第三代半导体上下游相关产业在洛阳集聚与发展，助力洛阳产业发展站上新风口、抢抓新机遇。

中电48所：

打造第三代半导体设备**供应商

2月21日上午，天心**副书记、区长周志军带队走访辖区**企业**电子科技集团公司第四十八研究所（简称“中电48所”），深入了解企业发展情况，并就企业反映的相关事项现场办公。

座谈中，中电48所所长、党委副书记王平对天心**、区政府历年来对企业的关心表示感谢，并详细介绍了中电48所全力打造“**第三代半导体成套装备国产化解决方案**供应商、我军传感器及系统解决方案重要供应商”的“十四五”规划等情况。

氮化镓

Veeco：

8寸氮化镓设备将大幅增长

2月21日，美国Veeco公布了2021财年第四季度业绩，其中，化合物半导体业务贡献了3470万美元（占总收入的23%），比上季度的2330万美元（占总收入的15%）增长了48.9%，这得益于向光电以及5GRF业务。

“我们预计2022年化合物半导体市场将出现显著增长，这是基于我们对MOCVD和其他系统的积压和可见性，这些系统主要面向光电应用，其次是GaN功率，”Veeco**财务官约翰·基尔南指出。“从长远来看，我们相信我们的Lumina和Propel平台已经为micro-LED和8英寸GaN功率机会做好了准备。”

宁波铼微：

氮化镓器件已批量生产

2月25日，据光明日报报道，在浙江宁波大力培养“专精特新”企业的背景下，宁波铼微半导体有限公司取得了可观的“成绩”。

该公司行政总监赵锐表示，正是落地宁波享受到了很多政策红利，才实现了企业快速成长。如今公司的氮化镓器件已开始批量生产，待产能布局完成后，预计将在全球占据可观市场份额。

Transphorm：

将推出1200V、效率达99%的GaN功率晶体

2月24日，Transphorm宣布它将在ISPSD研讨会上展示1200VGaN器件的**研发成果，预计将于2023年提供样品。

迄今为止，市售的高功率GaN晶体管的电压范围通常为600至650伏，此前Transphorm也仅提供900V的GaN器件。如今即将展示的1200VFET的性能有望通过支持苛刻的要求来扩展Transphorm的产品组合和**的市场机会。

Ampleon：

发布第三代GaN-on-SiCHEMT晶体管

2月22日，Ampleon宣布推出两款新的GaN-on-SiCHEMT晶体管，功率**分别为30WCLF3H0060(S)-30、100WCLF3H0035(S)-100。这些高线性度器件是其第3代GaN-SiCHEMT工艺的初始产品，最近通过认证并投入生产。

这些器件在低偏置设置下提供宽带高线性度特性，以提高宽带线性度的性能水平。宽带线性对于当今国防电子设备中部署的**捷变无线电至关重要，用于处理多模通信波形（从FM到高阶QAM信号）并同时应用对抗信道。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有更好的宽带线性度。